退火設(shè)備是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復(fù)注入的損傷，移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設(shè)計的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結(jié)構(gòu)，采用纖維結(jié)構(gòu)，節(jié)電0.6。

產(chǎn)品特點：

1、無噪聲，無環(huán)境污染。

2、蓄熱性小，熱量流失少。

3、控溫精度高，爐溫均勻性強。

4、自動化程度高，操作簡單。

5、可采用PID編程設(shè)定，全自動運行。

6、密封性好，壽命長，安全可靠。