退火設備是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結構，采用纖維結構，節(jié)電0.6。

產(chǎn)品特點：

1、無噪聲，無環(huán)境污染。

2、蓄熱性小，熱量流失少。

3、控溫精度高，爐溫均勻性強。

4、自動化程度高，操作簡單。

5、可采用PID編程設定，全自動運行。

6、密封性好，壽命長，安全可靠。